Основан в 1961 году. Ведущий российский центр разработки и производства силовых полупроводниковых приборов (IGBT, MOSFET, диоды Шоттки, защитные диоды) и СВЧ-транзисторов. Обеспечивает компонентную базу для предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Силовая электроника (IGBT, MOSFET), СВЧ LDMOS и GaN транзисторы, микросхемы защиты от электростатического разряда.
Дискретные транзисторы в металлокерамических корпусах. Применение: Электроприводы, источники вторичного питания для авиации и космоса, системы управления вооружением.
Усилительные приборы для диапазона до 4 ГГц. Применение: Радиолокационные станции (РЛС), связное оборудование, системы РЭБ.
Высоковольтные диоды в силовых корпусах. Применение: Выходные выпрямители, снабберные цепи, обратноходовые преобразователи.
Приборы для защиты от перенапряжений. Применение: Бортовая сеть летательных аппаратов, наземная техника, линии связи.
Загрузите список позиций (xlsx, docx) — мы оперативно подготовим коммерческое предложение
Для получения коммерческого предложения